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SiC激光退火設(shè)備

SiC激光退火設(shè)備

產(chǎn)品特點(diǎn) 1.整機(jī)模塊化設(shè)計(jì)與集成,兼容4、6、8英寸薄片晶圓;
2.集成自研成熟先進(jìn)激光整形技術(shù),光斑能量高度均勻、穩(wěn)定;
3.退火后表面均勻、平整,優(yōu)秀的電學(xué)特性及表面形貌特征表現(xiàn);
4.嚴(yán)格控制腔體含氧量,有效控制表面碳析出量和分布;
5.配置監(jiān)控與補(bǔ)償系統(tǒng),監(jiān)測(cè)光學(xué)能量穩(wěn)定性和非退火面溫度;
6.配備EFEM傳輸系統(tǒng),整機(jī)符合SEMI標(biāo)準(zhǔn),支持SECS-GEM通信。

產(chǎn)品應(yīng)用

適用于對(duì)重?fù)诫s碳化硅(SiC)表面沉積的過渡金屬進(jìn)行退火,形成良好的歐姆接觸。


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產(chǎn)品參數(shù)

可加工品圓尺寸
4inch、6inch、8inch
薄片退火支持
光斑整形平頂光
光斑均勻性>95%
能量穩(wěn)定性≤1%
比電阻接觸率≤5×10^(-5)Ω.cm2
表面溫度Amnealedgurtece>1500℃.NOn=ann日ledsurlaco<100℃
腔體含氧量N2/Ar: 99.99%,<100ppm@25s
運(yùn)動(dòng)平臺(tái)精度

直線度:±1μm

重復(fù)定位精度:±1μm

品圓傳輸

Automatic transferring

(compatible to wafer or wafer/w carrier)


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