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PECVD

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產(chǎn)品特點(diǎn) 1.成熟的高產(chǎn)能工藝、雙模溫度控制技術(shù)、薄膜硅保護(hù)技術(shù)；
2.石墨舟電極技術(shù)：前電極面接觸，可定期更換清洗電極塊，尾電極爐管外可調(diào)，加大電極尺寸及優(yōu)化電極材料，良好解決高頻報(bào)警問(wèn)題；
3.快速降溫爐體：最新專利技術(shù)使?fàn)t體溫度快速降到所需溫度，降溫速率提升25%以上，明顯提升爐管內(nèi)溫度均勻性；
4.專利儲(chǔ)舟位并行散熱方式：提升降溫效果，縮短降溫時(shí)間15%以上，同時(shí)避開底部從操作臺(tái)前面進(jìn)氣，提高操作臺(tái)內(nèi)部潔凈度；
5.快速自適應(yīng)壓力閉環(huán)控制技術(shù)；
6.等離子放電場(chǎng)檢測(cè)技術(shù)；
7.裝卸片防撞舟技術(shù)；
8.一體化工控機(jī)+模塊化工藝控制軟件；
9.全面的停電安全處理和法蘭水異常保護(hù)。

產(chǎn)品應(yīng)用

在硅片表面淀積一層厚度約為75-140nm的減反射氮化硅膜(SixNy)，同時(shí)利用在淀積過(guò)程中產(chǎn)生的活性H+離子，對(duì)硅片表面和內(nèi)部進(jìn)行鈍化處理。在體現(xiàn)減少光反射的同時(shí)，也提高了硅片的少子壽命，最終直接體現(xiàn)在晶體硅電池的轉(zhuǎn)換效率，主要用在PERC/TOPCon電池正背面氮化硅膜生長(zhǎng)。

產(chǎn)品參數(shù)

項(xiàng)目技術(shù)指標(biāo)
成膜種類AlO,SiO,SiON,SiN,SiC
裝片量768片/批(182mm),616片/批(210mm),500片/批(230mm)
氧化鋁膜厚均勻性片內(nèi)≤6%片間≤6%批間≤5%(182片)
氧化鋁折射率1.65(±0.05)
UP-TIME≥98%
工作溫度范圍100~600℃
溫度控制9點(diǎn)控溫，內(nèi)外雙?？刂?/span>
升溫方式自動(dòng)斜率升溫及快速恒溫功能
降溫方式最新專利技術(shù)，9溫區(qū)分段控制主動(dòng)降溫爐體
恒溫區(qū)精度及長(zhǎng)度±2°C/3200mm(500°C)
單點(diǎn)溫度穩(wěn)定度<±1°C/4h(500°C)
升溫時(shí)間RT→450℃≤45min
溫度控制雙模精確控制
系統(tǒng)極限真空度<3Pa
系統(tǒng)漏氣率停泵關(guān)閥后壓力升率<1Pa/min
壓力控制方式快速調(diào)整全自動(dòng)閉環(huán)
工藝控制方式工藝過(guò)程全自動(dòng)控制，多重安全連鎖報(bào)警
人機(jī)交互界面LCD顯示、觸摸操作、工藝編輯、在線監(jiān)控、權(quán)限管理、班組管理、組網(wǎng)功能
MES/CCRM具有


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